共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析

马忠权; 徐少辉; 郑毓峰; 简基康; 李冬来

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共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析

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采用共溅射方法制备了Cu-In合金膜,并讨论了Cu-In合金膜的结构、电学性能以及溅射时间对Cu-In合金膜的结构及电学性能的影响.结果显示,Cu-In合金膜仅有单峰,多晶晶面间距不随着膜厚的增加而改变.用费-桑理论对Cu-In合金薄膜的电学性质进行了分析,临界厚度的讨论结果表明,溅射3～4min是面电阻的转变点,而电学参数分析也给出相同的结果.

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来源
《新疆大学学报（自然科学版）》|2002年第1期|1-5|共5页
作者
马忠权; 徐少辉; 郑毓峰; 简基康; 李冬来;
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作者单位

新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐,830046;

新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐,830046;

新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐,830046;

新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐,830046;

新疆大学物理系,新疆乌鲁木齐,830046;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类能带论;
关键词
共溅射; Cu-In合金膜; 结构; 电学性质; 费-桑理论; 临界厚度;

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