Institute of Solid State and Semiconductor Physics, National Academy of Science of Belarus, P. Brovka 17, Minsk 220072, Belorussia;
chalcopyrite; selenization; solar cells; thin films;
机译:起始前体如何影响溅射和硒化法制备的多晶CuInGaSe 2薄膜的性能
机译:近距离硒化用于CuInSe2薄膜制造的共溅射Cu-In合金前驱体的表征
机译:通过合金化金属前体的一步硫磺化制备的Cu2ZnSn(S_xSe_(1-x))_ 4薄膜的性能
机译:通过共溅射Cu-LN合金硒化制备的Culnse_2多晶薄膜的性质
机译:硒化:用于光伏器件的铜铟二硒化物多晶薄膜的形成。
机译:用于NIR-II区域传感器的共溅射非晶硅锡合金薄膜的结构和光学性质
机译:起始前体如何影响溅射和硒化制备的多晶CuInGase2薄膜的性质
机译:共溅射半导体和金属绝缘体薄膜的光学和电学特性