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周家萍;
兴义民族师范学院,贵州兴义562400;
高精度; 低温度系数; 宽输出电流;
机译:考虑带隙能量的热依赖性,重新分析基本带隙基准电压电路
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:电化学合成钨酸盐纳米复合材料γ-WO3 / CUWO4和γ-WO3 / NIWO4薄膜,具有改进的带隙和太阳能光电电化学水氧化的带隙和光度
机译:利用基于泄漏的PTAT生成和DIBL特性的9.3 nW多合一带隙电压和电流参考电路
机译:CMOS带隙基准电路。
机译:从绿色修复到具有改进的光学带隙的聚合物混合制造
机译:基于0.18μm工艺技术的带补偿电路的基于Cmos的带隙基准电压的设计与仿真
机译:低带隙,单片,多带隙,光电器件。
机译:带PTAT电流源的带隙基准电压电路
机译:用于产生PTAT电压的方法和电路,以及用于产生带隙电压基准的方法和电路
机译:具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
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