低温度系数

摘要： 为了满足不同应用和市场对物联网芯片精度和可靠性的要求,提出了一款宽温度范围的低温度系数带隙基准源.在传统的Banba型带隙基准源结构上,采用高阶温度补偿技术和分段温度补偿技术改善输出基准电压的曲率,降低了电路的温度系数,同时扩展了电路的工作温度范围.基于TSMC 180 nm CMOS工艺,完成了电路性能验证.测试结果表明,电路在-40°C～160°C温度范围内的温度系数低至7.2×10-6/°C,低频时电源抑制比为--48.52 dB,1.8V电源电压下电路的静态电流为68.38 μA,芯片核心面积为0.025 mm2.

摘要： 本文设计一种低温漂系数的电压可调式CMOS带隙基准电压源,与传统的CMOS带隙基准电压源相比,该电压源不仅能生成1.24V的标准带隙基准电压,还可以可通过调整电阻的比值产生更低或者更高的基准电压.利用电阻分压法,基准电路可以在低电压条件下运行.采用TSMC 0.18umCMOS工艺,使用spectre仿真,在1.8V的供电电压下,可以产生1.2V的基准电压,在-40°C～120°C的温度范围内,其温度系数为12ppm/°C,电源抑制比为66dB.

摘要： 带隙基准电路是集成电路系统中一个非常重要的构成单元.随着集成电路系统的规模越来越大,集成电路系统对带隙基准电路的温度系数提出了要求,怎样在降低温度系数的同时兼顾基准源精度已经成为一个备受关切的问题.传统的带隙基准源通常采用一阶的补偿方法,近些年也有很多曲率校正的方法被提出来.在分析传统Brokaw结构带隙基准电路的基础上,针对温度高于室温或者低于室温时,负温度系数大于正温度系数,采用分段曲率补偿技术,提出一种具有高精度的改进型带隙基准电路.通过分段曲率补偿电路,产生分段温度补偿电压对传统基准源进行校正,生成具有更小温度系数的基准源.%Bandgap reference circuit is a very important component in integrated circuit system. With the increasing scale of integrated circuit system, the temperature coefficient of bandgap reference circuit is required by integrated circuit system. It has become a problem of great concern as to how to reduce the temperature coefficient while taking into account the accuracy of reference source. While first-order compensation method is usually adopted by conventional bandgap reference source, many curvature correction methods has been proposed in recent years. An improved high precision bandgap reference circuit that utilizes a curvature compensation technique is presented based on the analysis of traditional Brokaw bandgap reference on the condition that negative temperature coefficient is higher than positive temperature coefficient when the temperature is above or below room temperature. By utilizing piecewise curvature compensation circuit, the traditional reference source is calibrated by piecewise temperature compensation voltage and a reference source with a smaller temperature coefficient is generated.

摘要： 针对移动设备低功耗的要求 ,基于GSMC 0 .18 μm CMOS集成电路工艺 ,设计了一种新型无片外电容低压差线性稳压电路 .在传统结构的基础上 ,用经温度补偿的恒流源替代反馈电阻 ,并将此恒流源作为基准电压源电路及误差放大器偏置参考电流 ,降低了静态功耗 ,同时对输出电压实现了温度补偿且可调 .结果表明 ,在2 .85~ 4 .00 V工作电压范围内 ,空载时静态电流仅为5 .486 μA ;在 -40~ 85°C工作温度范围内 ,输出电压温漂为9 .772× 10 -6/°C;电路版图面积仅为0 .12 mm× 0 .09 mm .

摘要： 本文通过与传统的POR电路的比较,借鉴PTAT电压的原理,基于电平检测的思路提出了一种简单可靠的POR电路,最后使用Candence HSPICE仿真,给出了该电路在HG_BD500HC1C 0.5um BCD工艺下的仿真结果.结果表明该电路受温度影响小,响应快速,性能远优于传统的POR电路.

摘要： 利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差ΔVGS产生高阶补偿量，对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于ΔVGS高阶温度补偿的高精度CMOS带隙基准。电路基于CSMC 0.5μm标准CMOS工艺设计，仿真结果表明：在5 V电源电压下，基准输出电压为1.258 V；在-40°C~125°C的温度范围内，温度系数为1.24×10-6/°C；低频时电源抑制比PSRR为-68 dB；电源电压在3.5 V~6.5 V范围内工作，线性调整率为0.4 mV/V。适用于高精度带隙基准源。%The difference in the gate-source voltageΔVGS by two MOS that work in the weak inversion,produces the high-end compensation ,which carries on high-order temperature compensation for the traditional BJT bandgap reference. A high precision bandgap reference with high-order temperature compensation can be designed byΔVGS. And the circuit is designed by using CSMC 0.5 μm standard CMOS process. The simulation shows that:when the supply voltage is 5 V,the output reference voltage is 1.258 V;during the range of temperature-40°C~125°C,the temperature coefficient is 1.24×10-6/°C;the PSRR is-68 dB at low frequency;when the voltage works during 3.5 V~6.5 V,linear regulation is 0.4 mV/V. It is suitable for high precision bandgap voltage reference.

摘要： 分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性，设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性，同时有效减小电路芯片面积，并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏压以进一步降低功耗。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计电路。仿真结果表明此电路在1.8 V电源电压下，–50~+150°C的温度系数为22.6×10–6/°C，基准电压源输出电压约为992 mV，25°C时静态电流为327.3 nA，电路总静态功耗为0.59μW，10 kHz时的电源抑制比为–25.36 dB。%A low power voltage reference circuit with all MOSFET structure was presented based on the different current characteristics of the MOSFET sub-threshold region, linear region and saturated region. The MOSFET working in linear region was designed to replace the ordinary resistance, to realize the all MOSFET characteristic, at the same time, the circuit layout area was effectively reduced. Besides, the output reference voltage was used as the bias of the MOSFET to further reduce power consumption. The circuit was designed with SMIC 0.18μm CMOStechnology. Results denote that the temperature coefficient is 22.6×10–6/°C in –50-+150°C with the power supply of 1.8 V, and the output voltage of the voltage reference circuit is 992 mV. The static current at 25°C is 327.3 nA, and the power consumption is 0.59μW. Besides, the power supply rejection ratio is –25.36 dB at 10 kHz.

摘要： 提出了一种高精度带隙基准电压源,电路采用了与温度成正比的电压补偿二极管压降的负温度特性,得到了与温度无关的基准电压源,并且利用双二极管串联模式提高了带隙结构的精度,并给出了计算和分析.电路采用0.5μm BICMOS工艺实现,仿真的结果表明,在3.3 V电压下,电路的功耗为25μW,在温度-40-125°C范围内,输出的电压为1.239 V,温度系数为10 ppm/°C.

摘要： AH37xx系列适用于工业及消费性产品的3～28V工作。这些器件集成了反向阻断二极管、在输入或输出引脚上的齐纳钳位以及输出电流限制，有助于防止瞬态和过载的情况。从-40～＋125°C的宽广温度范围及低温度系数确保产品在开关阈值点的操作稳健可靠，而6kV的静电放电能力则使器件更坚固耐用，并简化生产流程。

摘要： 采用一种含能材料对高能硝胺发射药药粒进行表面处理并模压,得到一种新型颗粒密实模块装药。利用30mm高压模拟试验火炮,本文重点研究了这种模块的弹道性能,研究表明:不同密度颗粒密实模块弹道试验稳定性均较好,与散粒相比相同膛压下大幅度提高了初速,并且具有明显的低温度系数效果。

摘要： 本文从低温感包覆火药弹道温度系数的基本原理角度,分析了包覆火药孔径对低温感包覆火药弹道温度系数的影响,提出了提高低温感包覆火药降低温度系数效率的一些措施.

摘要： 为了使单基发射药更好的满足现代武器高性能的要求,弥补其能量的不足,采用一种新型GAP基含能聚合物,以解决单基发射药包覆层粘结性能差为目的,并期望获得具有渐增性燃烧效果好的包覆单基发射药,改善单基发射药的燃烧规律,从而提高弹道效率.

摘要： 为了使单基发射药更好的满足现代武器高性能的要求,弥补其能量的不足,采用一种新型GAP基含能聚合物,以解决单基发射药包覆层粘结性能差为目的,并期望获得具有渐增性燃烧效果好的包覆单基发射药,改善单基发射药的燃烧规律,从而提高弹道效率.

摘要： 为了使单基发射药更好的满足现代武器高性能的要求,弥补其能量的不足,采用一种新型GAP基含能聚合物,以解决单基发射药包覆层粘结性能差为目的,并期望获得具有渐增性燃烧效果好的包覆单基发射药,改善单基发射药的燃烧规律,从而提高弹道效率.

摘要： 为了使单基发射药更好的满足现代武器高性能的要求,弥补其能量的不足,采用一种新型GAP基含能聚合物,以解决单基发射药包覆层粘结性能差为目的,并期望获得具有渐增性燃烧效果好的包覆单基发射药,改善单基发射药的燃烧规律,从而提高弹道效率.

摘要： 为了使单基发射药更好的满足现代武器高性能的要求,弥补其能量的不足,采用一种新型GAP基含能聚合物,以解决单基发射药包覆层粘结性能差为目的,并期望获得具有渐增性燃烧效果好的包覆单基发射药,改善单基发射药的燃烧规律,从而提高弹道效率.

摘要： 采用外补偿法改善Nd-Fe-B永磁材料的磁性能温度稳定性.讨论了磁温度补偿合金与永磁体组合后的磁性能和温度稳定性的表征.研究表明:用组合磁体的最大磁能积可以表征其磁性能,用开路法测试的可逆磁通温度系数可表征组合磁体的磁性能温度稳定性.用本实验室开发的磁温度补偿合金得到的组合磁体的可逆磁通温度系数小于0.001％/°C(20～100°C),室温下的最大磁能级达到195kJ·m-3.外补偿法不仅能够有效地改善Nd-Fe-B永磁材料的磁性能温度稳定性,而且能够保持较高的磁性能.

摘要： 采用外补偿法改善Nd-Fe-B永磁材料的磁性能温度稳定性.讨论了磁温度补偿合金与永磁体组合后的磁性能和温度稳定性的表征.研究表明:用组合磁体的最大磁能积可以表征其磁性能,用开路法测试的可逆磁通温度系数可表征组合磁体的磁性能温度稳定性.用本实验室开发的磁温度补偿合金得到的组合磁体的可逆磁通温度系数小于0.001％/°C(20～100°C),室温下的最大磁能级达到195kJ·m-3.外补偿法不仅能够有效地改善Nd-Fe-B永磁材料的磁性能温度稳定性,而且能够保持较高的磁性能.

摘要： 采用外补偿法改善Nd-Fe-B永磁材料的磁性能温度稳定性.讨论了磁温度补偿合金与永磁体组合后的磁性能和温度稳定性的表征.研究表明:用组合磁体的最大磁能积可以表征其磁性能,用开路法测试的可逆磁通温度系数可表征组合磁体的磁性能温度稳定性.用本实验室开发的磁温度补偿合金得到的组合磁体的可逆磁通温度系数小于0.001％/°C(20～100°C),室温下的最大磁能级达到195kJ·m-3.外补偿法不仅能够有效地改善Nd-Fe-B永磁材料的磁性能温度稳定性,而且能够保持较高的磁性能.

摘要： 本发明公开了一种具有温度系数并温度系数可调的参考电压电路，包括：基础电路，用于输出基本的参考电压；电流镜电路，用于镜像电流；shift up/down功能电路，用于shift up/down输出电压；有温度系数参考电压产生电路，用于产生有温度系数的参考电压；本电路的输出电压温度系数可通过闭合开关Sx调节，输出电压dc值可通过Vrefx调节，同时保证在调节温度系数时，常温的输出电压dc值不会随温度系数的变化而变化。

摘要： 本发明提供一种用于车辆加热器的正温度系数单元。本发明的一实施例的正温度系数单元包括：发热部，包括正温度系数元件；及散热部，设置在上述发热部的至少一面，且包括散热基材和散热膜，上述散热膜设置在上述散热基材的外表面的至少一部分以提高散热性能。据此，可以呈现改善的散热性能而无需为了提高散热性能而减少空气通过性且增加散热部的比表面积的结构变化，与此同时，因散热性能的耐久性卓越而能够持续呈现散热性能。并且，因散热部的空气通过性得到提高而可以防止由于过度使用如风扇等的外围设备导致的噪声和功耗增加。进而，防止因散热部的空气通过性减少而导致的正温度系数模块的过热和正温度系数模块控制电路的过载，因此不需要高成本的高性能控制电路，从而可以以降低的生产成本实现用于车辆的正温度系数加热器。

摘要： 一种混合型装置，所述混合型装置包括：设置在所述混合型装置的第一侧上的第一电极；设置在与所述第一侧相反的所述混合型装置的第二侧上的第二电极。所述混合型装置还可以包括设置在所述第一电极和所述第二电极之间的至少一个层，所述至少一个层包括负温度系数材料和多个导电粒子，其中所述混合型装置呈现正温度系数特性和负温度系数特性。

摘要： 本发明涉及一种用于降低在功能构件(22)、尤其是正温度系数元件之下和之中的机械负载的装置。该功能构件设置在一方面具有盖(14)的导流元件(20)与另一方面热质量(24)之间。固定装置(10)在中间部分(12)内具有平坦或凹形拱曲的接触侧(32)。该接触侧在固定装置(10)的夹紧的状态(30)下加载盖(14)的上侧(18)。第一接触区域(34)和第二接触区域(36)通过在构造为弹簧夹的固定装置(10)的中间部分(12)的材料中的拱起部(38)相互分离。通过形成第一接触区域(34)以及构成第二接触区域(36)使保持力分散并且显著地降低接触压力最大值的绝对高度。

摘要： 本发明公开了一种具有温度系数并温度系数可调的参考电压电路，包括：基础电路，用于输出基本的参考电压；电流镜电路，用于镜像电流；shift up/down功能电路，用于shift up/down输出电压；有温度系数参考电压产生电路，用于产生有温度系数的参考电压；本电路的输出电压温度系数可通过闭合开关Sx调节，输出电压dc值可通过Vrefx调节，同时保证在调节温度系数时，常温的输出电压dc值不会随温度系数的变化而变化。

摘要： 本发明涉及一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，属电源技术领域。该电源中的启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作。启动电路包括：用于产生镜像电流的PMOS管，用于构成电流镜的两个NMOS管，一个用于启动恒电流产生电路NMOS管，用于控制NMOS管的开启和关断的电阻。恒电流产生电路包括：用于构成电流镜的二个PMOS管，用于阻止电路中寄生振荡的电容，用于产生两个发射结电压PNP双极晶体管，用于对电压降进行差分放大的运算放大器。本参考电流源，通过对片上电阻的温度系数进行补偿实现输出电流的温度稳定，并得到非常低的温度系数；不需要外接元器件和外接信号，结构简单，占用的面积小，消耗的功率低。

摘要： 本发明提供了一种低温度系数电阻体和采用该低温度系数电阻体的低温度系数电阻，所述电阻体由铜、镍、锰三种金属组成；其中，所述铜的重量百分比为59.08％-61.08％；所述镍的重量百分比为23.71％-25.71％；所述锰的重量百分比为14.21％-16.21％；所述铜、镍、锰三者的重量百分比之和为100％。本发明还提供了一种低温度系数电阻体的制备方法，依次包括以下步骤：配料、熔炼、退火、锻造、热轧盘条、固溶处理、多道拉丝、去应力退火。该低温度系数电阻利用合金材料制备电阻体，温度系数低。

摘要： 本申请公开了一种低温度系数和低电源电压系数的基准电流源，包括：带隙基准电路和电流源产生电路，所述带隙基准电路的输出端口I

摘要： 本发明提供了一种低温度系数低减落系数罐形磁芯的制备工艺，低温度系数低减落系数罐形磁芯的制备工艺，包括：制作罐形毛坯；将罐形毛坯上下对齐码放在烧结板上，送入真空炉脱醇（粘合剂），每小时升温速度控制在50°C-80°C；升温到400°C-900°C之间时，每小时升温速度控制在120°C-150°C；温度升至900°C时封炉门，升温速度控制在每小时300°C以内；1280°C保温150分钟，炉内正压，氧含量控制在10000-30000ppm；保温时间结束，降温5-10分钟后，再保温5-10分钟；带电降温，氧含量控制在300ppm以下，降温至200°C以下时产品可以出炉；所得罐形磁芯完全满足了现阶段滤波器生产之需要。

摘要： 本发明涉及一种低温度系数和低电源电压系数的参考电流源，属电源技术领域。该电源中的启动电路产生一个低电压，使恒电流产生电路工作。启动电路包括：用于产生镜像电流的PMOS管，用于构成电流镜的两个NMOS管，一个用于启动恒电流产生电路NMOS管，，用于控制NMOS管的开启和关断的电阻。恒电流产生电路包括：用于构成电流镜的二个PMOS管，用于阻止电路中寄生振荡的电容，用于产生两个发射结电压PNP双极晶体管，用于对电压降进行差分放大的运算放大器。本参考电流源，通过对片上电阻的温度系数进行补偿实现输出电流的温度稳定，并得到非常低的温度系数；不需要外接元器件和外接信号，结构简单，占用的面积小，消耗的功率低。