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薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型

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摘要

氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题．从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出了一些物理模型中存在的问题，为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据．

著录项

来源
《西安电子科技大学学报》 |1999年第5期|610-613|共4页
作者
刘红侠; 郝跃;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

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正文语种 chi
中图分类结构;
关键词
电子陷阱; 击穿机理; 薄栅介质; 物理模型; 集成电路;

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