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SiGe开关功率二极管的计算机模拟及优化设计

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介绍了新型SiGe开关功率二极管结构及机理,在对器件正反向特性进行模拟的基础上进一步进行了优化设计,并对其动态特性进行了模拟.与正反向特性模拟结果综合比较得出,取20%的Ge含量和20 nm 的SiGe层厚时,器件性能最优.

著录项

来源
《西安理工大学学报》 |2002年第2期|140-143|共4页
作者
陈波涛; 杨媛; 高勇;
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作者单位

西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048;

西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048;

西安理工大学,自动化与信息工程学院,陕西,西安,710048;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类功率二极管;开关二极管;
关键词
SiGe/Si异质结; 通态压降; 存贮电荷;

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