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SITH栅-阴击穿特性分析

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摘要

分析了SITH沟道及外延层反向耐压承受能力 ,并通过对不同芯片的栅 -阴击穿电压特性的测试结果的分析研究 ,论述了台面腐蚀是直接影响VGK及器件I

著录项

来源
《武汉理工大学学报：信息与管理工程版》 |2002年第3期|91-92|共2页
作者
黄淑芳;
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作者单位

武汉化工学院物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP211;
关键词
栅-阴击穿特性; 芯片; 耗尽层; 外延层; 台面腐蚀;

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