机译:后栅退火在非钝化AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的栅电流泄漏和击穿机理
Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, Columbus, Ohio 43210;
机译:通过表面处理和栅后退火相结合的方法来降低AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的关态漏电流
机译:栅漏电流对未钝化GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的漏电流崩溃的影响
机译:溅射TiN的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的栅漏电流机理研究
机译:基于物理的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中栅漏电流建模
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中栅极泄漏电流的传输机制