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崔占东; 杨银堂;
中国电子科技集团公司第13研究所;
西安电子科技大学;
表面栅; BSIT; 栅源低击穿; 双极模式静电感应晶体管; 功率开关电路;
机译:分析表面状态和碰撞电离对窄凹栅GaAs FET的击穿特性和栅滞现象的影响
机译:深入研究双栅CMOSFET中薄栅氧化物的准击穿现象
机译:超薄GaN / AlN / GaN溶液栅场效应晶体管,在低源栅电压下具有增强的分辨率
机译:不同结 $ kappa $ tex>的异质结(50nm Ge沟道)n-双栅TFET中栅源漏重叠/栅沟道下重叠的研究
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保留低k完整性和高k栅堆叠蚀刻。
机译:自对准顶栅共面InGaZnO薄膜晶体管的横向载流子扩散和源漏串联电阻的研究
机译:相对栅源Gaas器件的研究和开发工作
机译:半导体器件在栅电极的两侧具有源-漏区,使得源-漏区和栅电极具有相同的平坦表面。
机译:用于半导体器件的晶体管,包括:绝缘膜隔离物,其填充栅电极的下表面与衬底的上表面之间的空间;以及源/漏区,其设置在栅电极的两侧上的衬底上。
机译:具有夹层耦合电容的浮栅EEPROM存储单元-在被电极覆盖的第二区域中具有与浮栅晶体管的源极和漏极具有相同导电类型的导电表面区域
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