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机译:深入研究双栅CMOSFET中薄栅氧化物的准击穿现象
机译:双栅极CMOSFET中与极性有关的隧穿电流和氧化物击穿
机译:深入研究高级CMOSFET的制造过程中薄栅极氧化物的降解
机译:深入研究高级CMOSFET的制造过程中薄栅极氧化物的降解
机译:用DCIV技术研究超薄栅氧化物的准击穿机理
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:带有交联聚(4-乙烯基苯酚)/氧化钇纳米复合栅极绝缘子的柔性613-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄膜晶体管的稳定性研究
机译:带有薄氮化栅氧化物的双栅CMOSFET中应力引起的泄漏电流