Tb／Fe成分调制膜的磁结构与平均分子场模型

摘要

文[1]研究了Tb/Fe成分调制膜的磁特性,讨论了成分调制膜的周期厚度与磁性质的关系。本文在此基础上,进一步探讨Tb/Fe成分调制膜的磁结构及热处理对磁结构的影响,并用平均分子场模型对结果作初步分析。将用真空电子束蒸发法制备的具有调制结构的样品,置于真空无感电加热装置中,在6.67×10^(-5)Pa真空、250℃温度下保温2h后随炉冷却。热处理前后样品的饱和磁化强度用振动样品磁强计测定。为保证样品不被氧化,在制膜的真空条件下蒸镀100nm左右的铝膜。整个膜的周期数为80～20(160～40层),膜的总厚度为400～200nm左右。