基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱中载流子的量子态

摘要

基于InAs/GaSb的二类、断带半导体异质结构由于其特殊的能带结构和独特的光电性质而备受关注.主要研究了基于InAs/GaSb的二类、断带半导体量子阱(AlSb/InAs/GaSb/AlSb)中电子和空穴的波函数和能级.通过直接求解有效质量近似下的Schrǒdinger方程得到电子(空穴)沿生长方向的能级和波函数,研究发现:电子和空穴的波函数在材料层的交界面上有一定程度的耦合,所以该系统可以在新型光电器件方面有重要的应用.