碳化硅IMPATT和MITATT太赫兹二极管的小信号模拟

摘要

碳化硅(SiC)具有带隙宽、载流子饱和漂移速度快、临界击穿场强高、热导率高等优良性能,适用于太赫兹渡越时间功率器件.采用数值模拟方法,计算了不同碳化硅(4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC)N+NPP+型碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)和混合隧穿雪崩渡越时间(MITATT)二极管的小信号性能参数.对比了不同器件内部的电场分布、归一化电流分布、电阻分布、导纳-频率关系、单位带宽均方噪声电压和噪声测度的差异.所得结果可为相关器件制造提供指导.