InP—MIS界面特性的研究

摘要

通过实验对ＩｎＰ－ＭＩＳ结构进行了研究分析，指出造成该结构的Ｃ－Ｖ曲线滞后现象的主要原因不是界面上ＩｎＰＯ４所造成陷阱，而是低温淀积ＳｉＯ２中的ＳｉＯ２，ＳｉＨ等有机团所致；探索出一种新工艺技术，能做到基本消除该结构的Ｃ－Ｖ曲线的滞后现象，从而可望制作出性能较为稳定的ＩｎＰ－ＭＩＳ器件。