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反射式GaAs光电阴极的三步激活

         

摘要

本文报道了对反射式GaAs光电阴极进行三步激活的实验结果。与标准的高—低温两步激活结果相比,三步激活可将阴极的积分灵敏度提高36%。阴极的稳定性也大大增强。在经三步激活的P型GaAs外延片上,作者得到了459μA/lm的积分灵敏度。光谱测量表明,此时阴极表面已达负电子亲和势状态。

著录项

  • 来源
    《中国科学院大学学报》 |1987年第1期|104-107|共4页
  • 作者

    潘晓丹;

  • 作者单位

    中国科学院电子所 本院毕业生;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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