变掺杂变组分Al_(x)Ga_(1–x)As/GaAs反射式光电阴极分辨力特性

摘要

根据建立的变掺杂变组分反射式Al_(x)Ga_(1–x)As/GaAs光电阴极的分辨力模型以及调制传递函数(MTF)理论模型,仿真了材料中掺杂浓度线性变化、Al组分线性变化,掺杂浓度均匀不变、Al组分线性变化,掺杂浓度线性变化、Al组分均匀不变,掺杂浓度均匀不变、Al组分均匀不变这4种不同结构反射式光电阴极的分辨力特性.分析了Al组分、掺杂浓度、Al_(x)Ga_(1–x)As层厚度、GaAs层厚度和入射光波长对阴极分辨力的影响.仿真结果表明,阴极材料中掺杂浓度梯度变化以及Al组分梯度变化都可以提高反射式Al_(x)Ga_(1–x)As/GaAs光电阴极的分辨力,其中掺杂浓度线性变化的同时,Al组分线性变化对Al_(x)Ga_(1–x)As/GaAs光电阴极分辨力的影响最为明显.仿真结果还表明:Al组分从0.45线性变化至0时,阴极分辨力最好;掺杂浓度从1019—1018 cm^(–3)线性变化比保持1019 cm^(–3)不变,阴极分辨力更好;而阴极中Al_(x)Ga_(1–x)As、GaAs层厚度以及入射光波长对4种阴极分辨力的影响则有着不同的变化规律.