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陈怀林; 常本康; 张俊举; 杜晓晴;
中国宇航学会;
红外与激光工程编辑部;
高温; 激活; 变掺杂; GaAs; 途径; 光电阴极材料; 高性能; 思路; 优化; 结构; 预测曲线; 效率理论; 量子; 反射式; 稳定性; 灵敏度; 理论研究; 光谱响应; 实验; 表面逸出几率;
机译:梯度掺杂GaAs光电阴极与均匀掺杂GaAs光电阴极的比较
机译:透射式指数掺杂GaAs光电阴极的热增强外部光电发射理论研究
机译:均匀掺杂和指数掺杂Ga1-Xalxas / GaAs光电阴极与飞秒激光照明的特征研究
机译:指数掺杂Nea GaAs光电阴极的激活实验
机译:GaAs光电阴极的极化和电荷极限研究。
机译:通过圆偏振光激发的自旋光电流研究无掺杂InGaAs / AlGaAs多量子阱中的自旋输运
机译:来自大指数掺杂Gaas光电阴极的电子的理论能量分布
机译:极高电荷,高偏振梯度掺杂应变Gaas光电阴极
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:Si掺杂GaAs单晶锭及其制造方法,以及由Si掺杂GaAs单晶锭制成的Si掺杂GaAs单晶晶片
机译:硅掺杂的gaas-单晶锭及其制造方法,以及硅掺杂的gaas-单晶晶片,由硅掺杂的gaas-单晶锭组成
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