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杨智; 邹继军; 牛军; 张益军; 常本康;
南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094;
GaAs光电阴极; 偶极子; 表面势垒; 量子效率;
机译:由Cs,Li和NF_3激活的GaAs负电子亲和力光电阴极的表面激活层
机译:通过氧气曝光期间从反射模式P-GaAs(CS,O)光电阴极在反射模式P-GaAs(CS,O)光电阴极发射的电子中的非单调行为
机译:用CS,O2和TE激活高量子效率GaAs光电阴极
机译:角度依赖性X射线光电子能谱研究“高温温度”激活期间GaAs(Cs,O)表面的演化
机译:GaAs光电阴极的极化和电荷极限研究。
机译:InGaAs / GaAs量子点链结构的光电导弛豫机理
机译:通过Cs,Li和NF3激活GaAs负电子亲和光电阴极的表面活化层
机译:在NEa光电阴极激活之前将Gaas暴露于原子氢以进行清洁
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:具有Cs激活层的III族氮化物光电阴极的制备
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