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刘维跃; 刘雄光;
致密化; ZTM陶瓷; 碳化硅陶瓷; 烧结气氛; 复合陶瓷;
机译:烧结气氛对CuO陶瓷致密化行为的影响
机译:烧结气氛对热压TiN陶瓷致密化行为的影响
机译:无铅(Li,Na,K)(Nb,Ta,Sb)O_3压电陶瓷:烧结气氛和ZrO_2掺杂对致密化,微观结构和压电性能的影响
机译:B_4C含量对SiC-B_4C陶瓷致密化行为的影响
机译:热处理对SiC-SiC陶瓷基复合材料的影响
机译:SiC含量对火花等离子体烧结制备h-BN / SiC陶瓷的组织和微波加热速率的影响
机译:SiC晶须的单向取向对SiC晶须/ Si3N4陶瓷复合材料无压烧结致密化的影响。
机译:HfB2-20siC(预印)放电等离子烧结过程参数对致密化影响的田口分析
机译:通过烧结气氛和使用烧结加HIP工艺对样品表面层进行致密化来致密化Al2O3-SiC纳米复合材料
机译:粉末陶瓷和金属陶瓷的致密化温度高于1400°C(在1400°C以上的温度下致密化粉末状陶瓷和金属陶瓷的过程)
机译:致密化陶瓷层的方法,特别是利用固体氧化物电池(SOC)技术对陶瓷层进行致密化的方法
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