一种抗辐照的光电探测芯片设计

摘要

光电耦合器的核心模块是光电探测芯片.介绍了一种抗辐照光电探测芯片的设计,该电路基于0.5μm标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺研制,内部包含跨阻放大器(TIA)、基准源和比较器等模块电路,并通过电路结构和版图设计进行抗辐照加固.测试结果表明,抗总剂量能力达到200 krad(Si),同时,该芯片数据传输速率可达10 MBd,其输入高电流范围为6～18 mA.