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杨银堂; 刘莉;
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安710071;
SiC; CMOS; OPAMP; 高温模型; Hspice仿真;
机译:HSPICE模型和电路仿真,用于由不同入射位置处的离子引起的单事件效应
机译:用于HSPICE电路仿真的相变存储单元的综合参数化模型
机译:高温升高温度下热工床钢H13循环响应仿真仿真和寿命预测的粘液塑性本构模型
机译:用于HSPICE兼容仿真的PCM和OTS宏模型的开发
机译:使用Angelov模型在PSpice中对碳化硅(SIC)垂直结场效应晶体管(VJFET)进行紧凑建模,并使用SIC VJFET模型对PSpice模拟电路构建模块进行仿真。
机译:室温和高温下拉伸张力循环疲劳载荷下2 C / SiC和SiC / SiC陶瓷基复合材料损伤演化的比较
机译:硅与AC IO缓冲器的HSPICE仿真之间的相关方法
机译:评估HspICE / RaDspICE电路仿真代码系统
机译:基于ADS和HSPICE的加密混合模型SI仿真方法
机译:HSPICE的等效电路仿真系统和方法
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