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汪开源; 黄玉辉; 曹康敏;
东南大学电子工程系;
试探值α; 异质界面; InGaAs/InP;
机译:考虑X射线CTR散射法形成异质界面过程和截面STM-OMVPE法形成InP / InGaAs / InP
机译:使用电流瞬变技术分析InP / InGaAs / InP双异质结双极晶体管中热载流子引起的损坏
机译:InGaAs / InP和InGaAs / AlAs / InP MBE生长异质结构的二次离子质谱深度分布中的离子刻蚀效应
机译:在INP / INPAS / INP和INP / INGAAS / INP杂结构中分布在INP / INPAS / INP和INP / INGAAS / INP异质结构中
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:不同厚度InGaAs / InAlAs / InP单量子阱界面涨落效应的光致发光研究
机译:InGaAs/InP异质结界面层的应变研究
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。
机译:光转化器的INGAASP / INP异质结构的制造方法
机译:基于INGAAS / ALINAS / INP异质表皮结构的金属结构光电二极管
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