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王永生; 周凤林;
南京邮电学院;
InGaAsP/InP; 异质结; 界面; C-V测试;
机译:在基极-集电极结处具有InGaAsP隔离层的InP / InGaAs双异质结双极晶体管的比较研究
机译:INP / INGAAS双异质结双极晶体管与INGAASP PAC在基-结连接处的比较研究
机译:InP / InGaAsP / InP双异质结太阳能电池短路电流的改善
机译:通过金属有机化学气相沉积法在InGaAs基极和InP集电极之间生长具有InGaAsP梯度的InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:有机异质结:接触诱导的分子重新定向界面态和电荷重新分布
机译:条形几何结构的InGaAsP / InP异质结双极晶体管,适用于光学集成
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:光转化器的INGAASP / INP异质结构的制造方法
机译:埋入异质结构的ingaasp / inp半导体二极管激光器的制造方法
机译:InGaAsP / InP异质结构中优先刻蚀光学平面镜面的方法
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