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李观启; 严东军; 黄美浅; 曾绍鸿; 刘百勇;
华南理工大学应用物理系;
氧化膜; 氮化; 功函数; 界面态; 硅氮氧化膜; 半导体;
机译:电极/基于Hf的介电界面上费米能级固定的机制:系统研究多晶硅和完全硅化的NiSi电极的有效功函数对界面Hf密度的依赖性
机译:掺Sb的全硅化NiSi栅极的界面特性和有效功函数
机译:石墨烯嵌入对HFO 2介电理可靠性的影响及NI / GR / C-HFO 2界面的有效功函数的调节:第一原理研究
机译:通过将杂原子结合到高k HfO_2栅介质中的界面热力学设计,控制栅极金属有效功函数和界面层厚度
机译:系统评估金属栅电极的有效功函数及其对CMOS器件性能的影响。
机译:石墨烯插层对HfO2介电可靠性的影响以及Ni / Gr / c-HfO2界面有效功函数的调制:第一性原理研究
机译:将埋藏有机/金属界面的有效功函数与有机太阳能电池特性相关联
机译:低功函数表面电子发射特性的研究最终报告,1966年9月28日 - 1967年11月13日
机译:通过电子束扫描研究表面的功函数分布和场分布的系统
机译:用于研究多孔有效基板表面的光学性质变化的系统和方法,作为大气压下溶剂部分压序的函数
机译:用于研究多孔有效基体表面光学性质变化的系统和方法,该函数是在大气压力下溶剂分压序列的作用
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