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薛超; 安华; 邵国胜; 杨贵东;
郑州大学材料科学与工程学院 国家低碳环保材料智能设计国际联合研究中心 河南郑州450001;
西安交通大学化学工程与技术学院 西安交通大学-牛津大学催化国际联合实验室 陕西西安710049;
SnS2/rGO/TiO2; 空心球; 光催化剂; 空穴注入层; Cr(VI)还原;
机译:Ni,HfO2薄膜和Ni / HfO2界面的功函数随外部电场的变化
机译:LaAlO_3 / SrTiO_3异质界面处各向异性磁阻的四重振荡和平面霍尔效应:载流子限制和电场对磁相互作用的影响
机译:解释由分离势确定的分离功与等压-等温混合的热力学估计功之间的差异
机译:电极材料的界面功函数和载流子选择性接触中的载流子损伤评估:ALD-TiO_x
机译:载流子介导的膜传输中的稳态电场效应的数值研究(耦合,气体分离,促进,扩散反应,部分平衡)。
机译:石墨烯功函数对石墨烯与有机分子界面电子结构的影响
机译:通过源自工作函数差异的内置界面电场加速定向电荷分离
机译:从金属给定功函数温度和电场评估电流密度的程序
机译:半导体结构,双功函数的CMOS器件,双功函数的CMOS电路以及在基板上形成双功函数的CMOS器件的方法(碳化物金属栅极结构和形成方法)
机译:半导体结构,在双功函数的CMOS器件上形成双功函数的CMOS器件的方法,CMOS电路和双功函数的基板(碳化金属栅极结构和形成方法)
机译:具有由半导体柱体与周围金属电极之间的功函数差异引起的源/漏区的垂直晶体管
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