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杨炳良; 刘百勇; 王曦; 郑耀宗;
华南理工大学应用物理系;
香港城市大学电子工程学系;
氮氧化硅; 二氧化硅; 电子陷阱; 薄膜; 温度依赖性;
机译:HfO_2 / GeON / Ge(110)金属氧化物半导体器件中慢陷阱产生机理的温度依赖性研究
机译:电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积硅衬底上的SiN_x,SiO_2 / SiN_x和SiO_xN_y介电膜的电导瞬态比较分析
机译:对“关于厚度和温度的评论取决于SiO_x / SiO_2和SiO_xN_y / SiO_2超晶格的混合:实验观察和热力学建模”的响应[Appl。物理来吧109,166101(2016)]
机译:超薄SiO 2 inf>中电子陷阱的高场产生和电荷陷阱
机译:参见关于SiO_2中陷阱俘获电子的研究统计
机译:草酸盐脱羧酶中锰结合位点的pH依赖性结构如高场电子顺磁共振所透露
机译:研究高电场应力引起的SILC和界面陷阱的产生及其在2.2 nm栅极电介质中的工作温度依赖性
机译:高场penning-malmberg陷阱:限制性质和在正电子积累中的使用
机译:低,具有高的玻璃化转变温度,该温度是通过电子束使介电常数膜硬化而产生的
机译:光激发的低电子温度高电流金刚石膜场发射阴极
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