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廖常俊; 刘颂豪; 陈俊芳; 刘剑; 赵寿南; 郑学仁;
华南师范大学量子电子学研究所;
华南理工大学应用物理系;
MOCVD技术; 突变异质结; 发光器件; 气路;
机译:应变多量子阱双异质结光电开关及相关异质结FET
机译:通过异质结优化改善具有壳掺杂分布的量子阱FET的电性能
机译:单个重掺杂异质结的量子阱子带上二维电子分布的特定特征
机译:MOCVD多量子阱异质结构和激光二极管的MOCVD生长和表征
机译:在大气压倒置垂直MOCVD反应器中生长的砷化镓/砷化铝镓超晶格中的异质结突变。
机译:MOCVD制备的具有单和双异质结的InGaN薄膜中的铟滴形成
机译:AlGaInN多量子阱异质结构和激光二极管的MOCVD生长和表征
机译:通过优化量子阱异质结中的带隙偏移来改善量子阱激光器的性能。
机译:通过MOCVD生长具有拉伸梯度碳掺杂基极层的异质结双极晶体管
机译:通过MOCVD生长带有梯度掺碳基层的异质结双极晶体管
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
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