激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

董丽芳; 傅广生; 李晓苇; 韩理; 张连水; 吕福润

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激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

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采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.

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来源
《半导体学报》 |1989年第4期|280-285|共6页
作者
董丽芳; 傅广生; 李晓苇; 韩理; 张连水; 吕福润;
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作者单位

河北大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
激光; 等离子体; 淀积; 硅薄膜; 动力学;

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