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刘振鹏;
辽宁大学物理系;
方程; 电离能; 解析解; 边界条件; 施主原子; 半导体表面;
机译:半导体-金属和半导体-介电界面附近的D-浅施主
机译:基于具有移动受体或施主的半导体的薄纳米层与厚半导体层的简单设备中I-V关系的最新计算和测量
机译:模拟amplification原子自电离能级附近的跃迁而无需反转的扩增模型
机译:基于原子级的非电离能量损失:在GaAs和GaN半导体材料中的应用
机译:III-V半导体表面上高κ电介质原子层沉积过程中的表面反应
机译:多电子(五个或更多)等电子原子离子的电离能的计算方法
机译:半导体金属附近的D-浅施主和a 半导体介电界面
机译:用场电离能谱表征原子尺度表面。
机译:在自旋量子计算机中操纵两个电子之间相互作用的方法,涉及通过局部和/或随时间变化的弹性畸变场,将两个电子结合在施主的半导体和施主的核自旋中
机译:微电子结构的制造方法,包括制备具有半导体材料表面的施主衬底,在表面上形成涂层,并将该层的自由表面分子安装在受体衬底的表面上。
机译:半导体本体表面的涂覆方法,涉及通过溅射清除在被涂覆的半导体本体的表面范围内的表面附近的薄层。
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