University of Maryland Baltimore County;
机译:用于原子层沉积的ii-v化合物半导体的液相和气相表面制备的比较
机译:Ⅲ-Ⅴ族半导体表面上高k电介质的原子层沉积
机译:原子表面结构在III-V型化合物半导体的金属有机化学气相沉积中的作用
机译:Ge和III-V MOS通道上高κ介电层的原子层沉积
机译:原子层沉积过程中III-V半导体上介电膜的形核和生长。
机译:二氧化ha原子层沉积在砷化铟上的自清洁和表面化学反应
机译:可还原氧化物表面上金属烷基酰胺,烷基和卤化物的分解:将电介质原子层沉积到III-V衬底上的“清理”机理
机译:III-V族化合物半导体(110)表面上的V柱覆盖层的新表面原子结构。