基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法

摘要

提出了一种 Ga N薄膜电学参量测试新方法 .该方法基于双肖特基结二极管结构 ,利用非对称的电极图形获取整流特性 ,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺 ,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数 .对残留载流子浓度为 7× 10 1 6 cm- 3的非故意掺杂 Ga N薄膜进行了试验 ,新方法得到 Ni/Au- Ga N肖特基接触的理想因子为 2 .8,Ga N薄膜方块电阻为 4 91Ω 和电子电导迁移率为 6 0 6 cm2 /(V· s) .这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通 Ni/Au- Ga N肖特基二极管测试所得结果较为吻合 .该方法为半导体薄膜测试提供了新思路 ,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究 .