GaN基板上のp-GaNエピ膜に対するショットキーバリア特性

摘要

p-GaNエピ層に対してオーミック接触をとることが難しく、ショットキーダイオード(SBD)特性の報告例が少ない[1]。前回、p-GaN層の下にp+-GaN層を敷いた層構成によりダブルSBD構造においても良好な特性が得られた[2]。これはp+-GaN層の横方向伝導により擬似オーミック電極(対極)の実効面積が広がったためと考えられ、エピ基板裏面に対極を取った評価も可能であった。今回はこの構造を用いてp-GaNエピ上のショットキーバリア特性を評価した。