低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード

摘要

次世代の高耐圧SBDの開発を目標としてLT-GaNキャップ層を用いたエッジターミネーション構造を有する，AlGaN/GaN SBDを100mm径Si基板上のエピタキシャル成長AlGaN/GaN層を用いて作製した。 作製した，トータルエピ厚3.6μmとトータルエピ厚5.2μmの耐圧は，それぞれ1000V，1530Vであった。 順方向電流特性は，耐圧とは無関係に同等であった。 今回のLT-GaNエッジターミネーション構造の採用により，逆方向リーク電流が低減され，そのSBDの整流特性は，順方向電流と逆方向リーク電流比率で10{sup}5程度の良好な結果が得られた。 さらに，電流コラプス現象も十分抑制されていることを確認した。 以上の結果より，Si-SBDでは実現困難である，定格600V，1200Vのパワーエレクトロニクス用途に適した，AlGaN/GaN SBDの実現見通しが得られた。