首页> 中文期刊>半导体学报:英文版 >Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延及其室温铁磁性

     

摘要

研究了Co掺杂的ZnO单晶薄膜的分子束外延、结构、光学和磁学性质.利用分子束外延技术,在蓝宝石(0001)衬底上外延得到Co掺杂的Zn1-xCoxO(0≤x≤0.12)单晶薄膜.光透射谱和原位的X光电子能谱显示Co离子代替了ZnO晶格中部分Zn的位置.Zn1-xCoxO单晶薄膜具有内禀的铁磁性,并且居里温度高于室温.样品的铁磁性随着Co掺杂量x(x≤0.12)的增加而单调增大.

著录项

  • 来源
    《半导体学报:英文版》|2007年第z1期|282-284|共3页
  • 作者单位

    山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 山东大学物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 磁性半导体、磁阻半导体;
  • 关键词

    ZnO; 稀磁半导体; 铁磁性;

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号