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潘新花; 叶志镇; 朱丽萍; 顾修全; 何海平;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
杭州;
310027 浙江大学硅材料国家重点实验室;
310027;
脉冲激光沉积; p-ZnO; 锑掺杂;
机译:PLD法沉积Al掺杂ZnO薄膜上生长的ZnO纳米晶体的特性
机译:掺杂浓度对脉冲激光沉积(PLD)制备的Al掺杂ZnO薄膜的影响
机译:水热法在铝掺杂ZnO种子层上生长的溶胶凝胶铝掺杂ZnO薄膜和ZnO纳米线阵列的制备与表征
机译:用PLD制备的高取向过渡金属(Mn / Co / Ni / Cu)掺杂ZnO薄膜的结构,光学和磁性
机译:通过电沉积法为能量储存,催化和生物传感器应用的电沉积方法合理制备二硫化钼和金属掺杂钼二硫化薄膜
机译:溶胶-凝胶法和磁控反应溅射制备Eu掺杂ZnO薄膜的结构性能与能量转移的相关性
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响
机译:分子氮中脉冲激光烧蚀制备高掺杂p型ZnTe薄膜
机译:原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜的卤化物掺杂源,制备卤化物掺杂源,原子层沉积法中用卤化物掺杂部分氧化物薄膜和卤化物的方法用该方法制成的掺杂氧化物薄膜
机译:细管法制备磷和砷掺杂的P型ZNO薄膜的方法
机译:补偿与N型导电特性的银和第III族元素共掺杂的ZnO基薄膜的方法,并用该方法制成薄膜
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