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许向东; 郭福隆; 周卫; 刘志弘; 张兆健; 李希有; 张伟; 钱佩信;
清华大学微电子学研究所;
北京;
100084 清华大学微电子学研究所;
100084;
弛豫SiGe; UHV/CVD; 离子注入;
机译:在离子注入的硅衬底上制备高质量的应变弛豫薄SiGe层
机译:在通过离子注入技术制造的非常薄的SiGe弛豫层上形成的应变Si n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:通过超高真空化学气相沉积在Ar〜+离子注入的Si衬底上生长的薄弛豫SiGe层
机译:通过气体离子注入在硅衬底中诱导的纳米高血管缓冲器,用于杂交Si1-Xgex / Si薄层的应变弛豫
机译:氖原子激发态下激光诱导的多极矩的碰撞弛豫和转移
机译:CTAB辅助的Bi2WO6薄纳米板的高吸附和可见光驱动的光催化性能的制备。
机译:通过注入制备的薄SiGe虚拟衬底上的Si / SiGe n-MOSFET
机译:通过低温诱导的金属原子与离子注入的非晶硅反应形成薄的Ni硅化物。
机译:通过离子注入和热退火在Si或绝缘体上硅衬底上的弛豫SiGe层
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