Nickel; Nickel Silicides; Ion Implantation; Backscattering; Helium Ions; Production; Rutherford Scattering; Silicon Ions; Meetings; EDB/360201;
机译:用于完全硅化的栅极应用的薄膜Ni /多晶硅反应中的瞬态和末端硅化物相形成
机译:H原子与SiH_4固态薄膜在10 K下的低温隧穿反应形成非晶硅
机译:H原子与SiH_4固态薄膜在10 K下的低温隧穿反应形成非晶硅
机译:通过MEVVA注入形成共硅化镍镍薄膜
机译:通过聚焦离子束注入和银金属化与薄膜硅化物层的集成形成纳米结构的硅化物。
机译:通过氧掺入和电化学调谐增强高电流密度的非晶态Ni-Fe-S超薄纳米片上的析氧反应
机译:通过低温诱导金属原子反应与离子植入无定形硅形成薄的Ni硅化物形成
机译:通过低温诱导的金属原子与离子注入的非晶硅反应形成薄的Ni硅化物