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注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟

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我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.

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来源
《半导体学报》 |1989年第7期|514-518|共5页
作者
阮刚; 徐晨曦; 俞强;
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作者单位

复旦大学微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN307.3;
关键词
SIMOX; 氧注入; 注入分布; 工艺模拟;

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