GaAs基E/D PHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路

黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君

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利用GaAs基E/DPHEMT技术单片集成微波开关及其逻辑控制电路的制作工艺和设计方法,采用0.8μm GaAs E/D PHEMT工艺,制备出性能良好的解码器功能内置的DC^10GHz SPDT MMIC,基本实现逻辑电路与开关电路的集成.开关电路在DC^10GHz内插入损耗小于1.6dB,隔离度大于24dB;整个电路只需要1位控制信号,有效地减少了开关电路的控制端口数目,节省了芯片面积,为GaAs多功能电路的研究奠定了基础.

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来源
《半导体学报》 |2008年第9期|1823-1826|共4页
作者
黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
增强/耗尽型PHEMT; 逻辑控制电路; 单刀双掷开关(SPDT); 反相器;

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