宽带GaAs微波单片集成单刀单掷开关

摘要

本文报道了采用串、并联ＦＥＴ结构的砷化镓（ＧａＡｓ）微波单片集成（ＭＭＩＣ）单刀单掷（ＳＰＳＴ）开关的原理及制作工艺。在ＤＣ～８０ＨＺ频率范围内，插入损耗小于２ｄＢ，隔离度大于４０ｄＢ，反射损耗大于１５ｄＢ。并且具有较高的开关速度和极低的直流偏置功率耗散。芯片尺寸为１×２ｍｍ。