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黄君凯; 杨恢东;
暨南大学电子工程系;
甚高频等离子体增强化学气相沉积; 氢化微晶硅薄膜; 弱硼掺杂补偿;
机译:磁控溅射重掺杂硅靶材制备的掺硼和磷掺杂的微晶硅薄膜的电性能
机译:使用汽化液态环戊硅烷制备的磷和硼掺杂的氢化非晶硅薄膜
机译:高氢稀释制备的硼掺杂氢化非晶硅薄膜的尾态还原
机译:逐层制备硼掺杂氢化纳米晶硅薄膜及其在n-i-p柔性非晶硅薄膜太阳能电池中的应用
机译:掺杂和未掺杂的氢化非晶硅薄膜中纳米晶硅夹杂物的影响。
机译:SiNx阻挡层对聚酰亚胺Ga2O3掺杂的ZnO p-i-n氢化非晶硅薄膜太阳能电池性能的影响
机译:在几种类型的基板上制备高质量的硼掺杂微晶硅薄膜
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日
机译:用硼和磷重掺杂靶溅射的p层和n层溅射pin微晶/非晶硅半导体器件的方法
机译:一种氢化的含非晶硅的复合胶体的制备方法和用氢化的非晶硅复合层的胶体封装物,氢化的非晶的硅复合胶体的氢化物和含硅的复合层封装物的封装方法及其用途
机译:从含硅氧烷和硼的聚合物混合物中制备结晶掺杂硼的碳化硅和非晶硼碳化硅。
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