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谭利文; 王俊; 王启元; 郁元桓; 刘忠立; 邓惠芳; 王建华; 林兰英;
中国科学院半导体研究所材料中心;
中国科学院半导体研究所微电子研发中心;
热退火; γAl2O3; Si异质结构薄膜; SOI; MOCVD; γ氧化铝; 半导体;
机译:H_2等离子体和退火对原子层沉积Al_2O_3薄膜和Al / Al_2O_3 / Si结构的影响
机译:热退火条件下多晶硅晶粒结构的变化及其对TiN / Al_2O_3 / Si_3N_4 / SiO_2 / poly-Si电容器性能的影响
机译:热退火对Si和Al_2O_3基板溅射PT薄膜温度依赖性行为的影响
机译:在最佳质量热蒸发的Aggase_2薄膜上制备改进的p-aggase_2 / n-si异质结太阳能电池
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:通过快速热退火Ni / Si(1 0 0)薄膜在850°C形成的硅化镍薄膜的结构和电特性
机译:溅射W薄膜和W / Gesi / si异质结构中的应力松弛
机译:在Si / Al基础上产生与氮化物异质结构的热接触的方法
机译:使用热应变层的Si异质结构上的III-V
机译:快速热退火法制备O-N结构薄膜
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