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李志国; 宋增超; 孙大鹏; 程尧海; 张万荣; 周仲蓉;
北京工业大学电子信息与控制工程学院;
GaAs; FET; 失效机理; 快速评价;
机译:使用旋涂铂源制造的GaAs MESFET的可靠性研究
机译:通过i线光刻工艺制造的0.18μm栅GaAs-MESFET的可靠性
机译:通过i线曝光形成的栅极长度为0.18μm的GaAs-MESFET的可靠性
机译:具有TiAl和TiPtAu栅极的GaAs MESFET在高温和高电流密度下的可靠性比较研究
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:利用超声全景(一种新方法)评价较低的梯形肌肉(一种新方法):帧内间可靠性研究
机译:GaAs MESFET中沟道电流高阶分量提取的新方法
机译:高速Gaas mEsFET存储器研究
机译:等温步骤快速退火制备耐热自对准栅GaAs MESFET
机译:密封材料膜的可靠性寿命的评价方法及膜的可靠性评价装置
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