3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性(英文)

摘要

研究了低压化学气相淀积方法制备的 n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管 (HJD)在 30 0～ 4 80 K高温下的电流密度 -电压 (J- V)特性 .室温下 HJD的正反向整流比 (通常定义为± 1V外加偏压下 )最高可达 1.8× 10 4 ,在 4 80 K时仍存在较小整流特性 ,整流比减小至 3.1.在 30 0 K温度下反向击穿电压最高可达 2 2 0 V .电容 -电压特性表明该 Si C/Si异质结为突变结 ,内建电势 Vbi为 0 .75 V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向 J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明 ,并讨论了电流输运机制 .该异质结构可用于制备高质量异质结器件 ,如宽带隙发射极 Si C/Si