退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘静; 高勇; 王彩琳; 马丽;
西安理工大学电子工程系;
西安理工大学应用物理系;
硅锗碳; 功率二极管; 临界值; 漏电流;
机译:SiGeC / Si异质结二极管的电流传输特性
机译:N-ZnO / P-Si异质结MSM光电二极管优化性能的理论研究与设计
机译:SiGeC异质结PMOSFET的设计,制造和分析
机译:SiGeC / Si异质结功率二极管的新型结构研究
机译:Si-晶格匹配衬底上的III-V异质/同质结Esaki隧道二极管的性能评估
机译:低成本p-ZnO / n-Si整流纳米异质结二极管:制造和电特性
机译:对于频率在0.5和18.5 mHz之间的si / siGe异质结pN二极管的等效电路和载波寿命的研究(Undersoekning av Ekvivalenta Kretsen samt Laddningsbaerarnas Livslaengder fr Frekvenser mellan 0,5 och 18,5 mHz i si / siGe Baserade Heterostruktur-Dioder av pN Typ)
机译:具有Si / SiGeC异质结沟道的FET
机译:ZnO / Si结构异质结光电二极管及其制造方法
机译:高效发光二极管单封装特性分析的高效发光二极管模块结温测量方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。