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郭宇锋; 方健; 张波; 李泽宏; 李肇基;
电子科技大学IC设计中心;
SOI; 双极RESURF; 击穿电压; 模型;
机译:表面注入SOI RESURF LDMOS击穿电压的解析模型
机译:SOI RESURF和TMBS结构中电场分布的解析模型
机译:SIPOS层与SOI RESURF器件的底层硅相互作用的解析模型
机译:基于二维泊松方程的新型薄膜SOI RESURF结构解析物理模型
机译:I.通过芳基从双去氢甘氨酸提取氘:与蛋白质的1,4-芳基双自由基反应的模型。二。酰基肼作为酰基自由基的前体:直接捕获和环化研究。
机译:二维网格型铁(II)配位聚合物的晶体结构:聚diaquatetra-μ-氰基-二氮杂双(I)铁(II)反式12-双(吡啶-2-基)乙烯消失
机译:双栅sOI中的二维多晶硅量子力学效应
机译:双射流屏蔽二维模型的解析研究
机译:解析模型创建支持系统,解析模型创建支持设备和解析模型创建支持程序
机译:解析模型学习装置,解析模型学习方法及解析模型学习程序
机译:解析模型生成装置,解析模型生成方法以及解析模型生成程序
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