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王玉玲; 陈梦真; 江红;
中国科学院微电子中心;
化学汽相淀积; 氢氮化硼; 薄膜技术;
机译:第三代薄雾化学汽相淀积制备导电锑掺杂氧化锡薄膜(SnO_x:Sb)的研究
机译:化学汽相淀积均匀生长单层MoS 2 Subscript>薄膜的大面积生长
机译:Ga_xSn_(1-x)O薄膜的雾化学汽相淀积法特性评估
机译:超大规模集成电路互连金属化的化学气相淀积层与化学沉积方法的比较
机译:使用低压化学气相沉积对III-氮化物薄膜的合成与表征III族氮化物薄膜传感应用
机译:二硒化钛薄膜的区域选择性生长低压化学气相沉积成微图案化基材的薄膜沉积
机译:真空紫外直接激发型光化学汽相淀积法研究SIO2薄膜的低温生长
机译:10-50 nm TEOs(四乙氧基硅烷)LpCVD(低压化学气相沉积)薄膜的电学特性
机译:用于电化学汽相淀积的原始材料汽化器,电化学汽相淀积装置和使用该装置的固态电解膜形成方法
机译:等离子体化学汽相淀积装置及采用该装置的化学汽相淀积方法及装置内部的清洗方法
机译:低介电常数层介电薄膜的六方氮化硼膜及其制备方法和等离子体化学汽相淀积装置
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