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电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片

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摘要

在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.

著录项

来源
《半导体学报》 |2006年第6期|1147-1150|共4页
作者
王德强; 曹磊峰; 谢常青; 叶甜春;
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作者单位

中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术实验室;

中国工程物理研究院激光聚变研究中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
电子束; X射线光刻; 微波带片; 菲涅耳波带片;

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