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高立华; 杨云柯; 陈海昕; 符松;
清华大学工程力学系;
北京;
100084 清华大学工程力学系;
100084;
CFD; GaN; MOCVD; 气相反应; 表面沉积速率;
机译:金属有机化学气相沉积过程中GaN生长的数值模拟
机译:GaN-MOCVD反应器工艺参数的数值模拟与分析
机译:金属有机化学气相沉积(MOCVD)和发光二极管(LED)制造的Si(111)上的高质量单轴In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱(MQW)纳米线(NWs)
机译:用于GaN Movpe生长的水平反应器中的气相和表面反应
机译:半拉格朗日—拉格朗日方法的气液两相流数值模拟
机译:气固两相的数值模拟在最大化的异戊烷工艺反应器中的流动反应过程
机译:GaN模板对通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)在铟非常富集的条件下生长到AlInN外延层中的意想不到的Ga原子的贡献
机译:氢燃料双模超燃冲压发动机气相效应的数值模拟
机译:GaN垂直通道结场 - 效应晶体管,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)重生P-GaN
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
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