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徐谦; 左然;
江苏大学能源与动力工程学院;
GaN生长; MOCVD反应器; 表面化学反应; 数值模拟;
机译:在垂直停滞流反应器中使用单分子前驱物进行GaN MOCVD的多尺度模拟方法
机译:压力和气体进料速率对垂直MOCVD反应器中GaN薄膜生长速率分布的影响
机译:喷头MOCVD反应器中数值模拟的GaN薄膜生长操作优化
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻
机译:用于GAN相关半导体晶体生长的MOCVD反应器设计
机译:用于生长具有均匀厚度的GaN的垂直HVPE反应器以及使用该方法制造GaN基体的方法
机译:GaN垂直通道结场 - 效应晶体管,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)重生P-GaN
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